IGBT功率半導體大的優(yōu)勢是節(jié)能，傳統(tǒng)的功率半導體損耗非常大，需要多個器件才能達到電能轉(zhuǎn)換的效果。IGBT通過調(diào)節(jié)電機的轉(zhuǎn)速來提升能源轉(zhuǎn)換效率，從而達到節(jié)能的作用。
需求上，IGBT的需求主要來自新能源汽車帶動的增長；工業(yè)L域?qū)儆诜�(wěn)健的需求，增量來自于新基建；新能源變電和電網(wǎng)來自政策的推動發(fā)展；軌道交通是的優(yōu)勢L域。但是，相對于傳統(tǒng)功率半導體，IGBT工藝流程長達2.5-3個月，只要有一個參數(shù)變生偏差，就需要工藝流程重新返工，1年時間內(nèi)沒有幾次試錯的機會。
附件：方正證券的研究報告《IGBT功率半導體研究框架》
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